化学气相沉积法（chemical vapor deposition），理学-物理学-凝聚态物理学-晶体学-晶体生长-晶体生长技术，一种常见的制备单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料的气相生长方法。化学气相沉积（CVD）中所需的源物质主要有气态源、高蒸气压液态源、固态源和低蒸汽压液态源几种。气体输运的驱动力是系统各部分间存在的压力差、分压或浓度梯度和温度梯度。其涉及的化学反应，主要包括热分解反应、化学合成反应和化学输运反应。①热分解反应是利用化合物的热分解，在衬底表面得到固态薄膜的方法。一般在简单的单温区炉中便可进行，在真空或者惰性气体的保护下加热衬底到所需温度后，导入源气体使之发生热分解反应，最后在衬底上沉积出固体材料层。这种方法中的主要问题是源物质和热解温度的选择。为了保证所需沉积物的纯度和生长速率，既要考虑源物质饱和蒸气压与温度的关系，又要注意不同温度下热分解产物的不同。涉及热分解反应的化学气相沉积主要有以下几种。如CH4、B2H6、PH3等气态氢化物，适宜温度下加热后可沉积出相应的元素。金属烷基化合物可用于沉积金属膜，如用三丁基铝热解可以得到金属铝膜。