自对准双栅器件（self-aligned dual gate device），工学-电子科学与技术-新型半导体器件-超薄体场效应晶体管-全耗尽SOI场效应晶体管，可实现前栅与背栅自对准的双栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field effect transistor; MOSFET）器件。双栅器件与传统的平面器件相比，可以更好地抑制短沟效应，改善器件的跨导、载流子迁移率、电流密度及亚阈斜率等特性。自对准双栅器件的提出是因为前栅和背栅的自对准是实现高性能双栅MOSFET的关键，两个栅极如果不对准会引起附加的栅源或栅漏覆盖电容，使器件性能退化。根据双栅MOSFET的分类，自对准双栅器件可分为3种类型：自对准平面双栅器件、垂直沟道自对准双栅器件和竖直沟道自对准双栅器件。其中自对准平面双栅器件和垂直沟道自对准双栅器件的工艺实现较复杂，虽有成功实现的报道，但都不能满足大规模生产的要求。