碳化硅半导瓷（silicon carbon semiconducting ceramic），工学-电气工程-电工材料-半导体材料，陶瓷半导体材料。俗称金刚砂。化学式SiC，分子量40，带隙为3.2电子伏，击穿场强3兆伏每厘米，热导率为4.5瓦特每厘米每开尔文，天然产物极少。工业用碳化硅是石英砂与焦炭混合加热至2000～2400℃而制得。纯碳化硅是无色晶体，绝缘电阻很高。含有杂质以及硅或碳过量时，碳化硅呈暗黑色或灰绿色，属半导体。含Ⅴ族元素杂质和含Ⅱ、Ⅲ族元素杂质的碳化硅晶体分别呈n型和p型；硅过量和碳过量的碳化硅晶体分别呈n型和p型。将半导体碳化硅粉粒加入黏土或玻璃等黏结剂（加入量约占35%～50%），在氢气保护下经过1200～1400℃烧结，即可制成比较致密的碳化硅半导瓷。这种瓷呈灰黑色，具有类似氧化锌半导瓷的非线性伏安特性，也是制造过电压保护器件的重要材料。碳化硅半导瓷的出现和应用都远较氧化锌半导瓷早，但由于其烧结条件较难，非线性特性不如氧化锌半导瓷好，20世纪60年代后期以来，在电工技术领域的应用不如氧化锌半导瓷发展得快。