悬浮区熔化法（suspension zone melting method），理学-化学-物理化学-结构化学-晶体-晶体生长-单晶生长-悬浮区熔化法，区熔时，熔区完全依靠表面张力和高频电磁力的支托，悬浮于多晶棒与下方生长的单晶之间的方法。在悬浮区熔法中，使圆柱形硅棒固定于垂直方向，用高频感应线圈在氩气气氛中加热，使棒的底部和在其下部靠近的同轴固定的单晶籽晶间形成熔滴，这两个棒朝相反方向旋转。然后将在多晶棒与籽晶间只靠表面张力形成的熔区沿棒长逐步向上移动，将其转换成单晶。悬浮带熔法是在充满氩气的密封反应室中进行的，首先将一根长度大约为50～100厘米的多晶态硅棒垂直的放置在高温反应室里，加热线圈把硅棒的末端融化，然后把籽晶晶体熔入已经熔化的区域，熔体将会借着熔融硅的表面张力而悬浮在籽晶与多晶棒之间，然后加热线圈缓慢向上升高而把熔融硅上方部分的多晶硅棒熔化。此时靠近籽晶的一端熔融硅开始凝固，形成与籽晶晶体相同的晶向。当加热线圈扫过整个硅棒后，便能使其转变成单晶硅的晶棒。