牺牲层技术（sacrificial layer technology），工学-机械工程-机械工程基础-〔机械制造基础〕-加工制造-微纳机电系统-磁致动器，在表面微加工工艺中，为形成微机械结构的空腔或可活动的微结构，先在下层薄膜上沉积所需的结构件，再用化学刻蚀剂将此层薄膜腐蚀掉而不损伤微结构件，得到上层薄膜结构（空腔或微结构件）的加工方法。牺牲层技术的概念最早出现在1967年，美国西屋电气公司研究实验室的研究人员及合作者采用图形化的金属悬臂梁薄膜作为谐振栅，来制作场效应晶体管。1982年加州大学伯克利分校的学者提出以多晶硅微结构材料制备悬臂梁结构的牺牲层工艺，并进一步将多晶硅微桥结构与互补金属氧化物半导体（CMOS）电路集成在一个芯片上。此后，采用这种加工技术制作悬浮的薄膜微结构发展为表面微机械加工工艺，成为牺牲层技术的基本特征。1988年，研究人员采用牺牲层技术成功制作了静电力驱动马达，标志着该技术的成熟。利用牺牲层技术制备的悬臂梁结构过程（见图）是：先沉积并图形化牺牲层，之后在牺牲层上沉积结构层，图形化腐蚀孔，将牺牲层腐蚀掉，释放悬臂梁，获得结构层。