自旋注入是实现自旋电子器件最基本的条件，隧道结自旋注入是注入方法之一，它是指通过真空的隧道结有效地将自旋注入电子中，甚至有可能是比扩散性传送好得多的方法。自旋注入是实现自旋电子器件最基本的条件，随着自旋电子学在磁性和非磁性金属上的巨大成功，自旋注入半导体材料越来越受到人们关注。磁性材料俘导体界面的自旋注入是最基本的半导体自旋注入结构。作为自旋极化源的磁性材料有铁磁金属、磁性半导体和稀磁半导体三种。磁性半导体有较高的自旋注入效率，但是磁性半导体（如硫化铕）的生长极其困难，因此研究就集中在从稀磁半导体和铁磁金属向非磁半导体内的注入。稀磁半导体的铁磁转变温度远低于室温，虽然理论预测某些材料的铁磁转变温度可以高于室温，但是在开发出可以在室温下应用的稀磁半导体之前，铁磁金属/半导体的接触仍然是实现从自旋注入、操纵到检测全部电学控制的最有希望的方法。