电导率失配模型

电导率失配模型指出了理想/半导体欧姆接触自旋注入的根本问题。它基于两通道的电阻网络模型，分析了不同区域的电化学势分布。后有学者利用半导体量子阱结构中电子自旋简并分裂的方法克服相关局限。G.Schmidt提出的电导率失配模型指出了理想/半导体欧姆接触自旋注入的根本问题。该模型基于两通道的电阻网络模型，分析了不同区域的电化学势分布，指出自旋注入的效率依赖于半导体和铁磁电极的电导率的比例，如《电导率失配模型示意图》所示。一般情况下自旋注入效率小于0.01 %