第一代NV?SRAM模块问世近20年来,NV?SRAM技术不断更新,以保持与各种应用同步发展,同时满足新的封装技术不断增长的需求。它不但解决了先前产品所存在的问题,同时增加了更多功能。这类新型NV?SRAM是单片BGA模块,内置可充电锂电池,如图3所示。和PCM一样,采用这种封装形式的所有SRAM无论其容量大小,封装尺寸和引脚配置都是相同的。此类模块采用表面贴装,并且是单片器件。因此设计更加坚固可靠,较上一代器件可承受更强的机械震动。由于电池是可充电的,因此数据保存时间的概念有了另外一层含义。用NV SRAM技术比较 SRAM为数据访问和存储提供了一个快速且可靠的手段。由系统电源或其他备用电源(如电池)供电时,他们就具有非易失性。表1给出了几种给定的非易失性存储器存储技术的优缺点。NV SRAM中的电池对于数据保存来说至关重要。电池的不良接触会极大地影响电池寿命。其他因素,如震动、湿度以及内置的电池切换电路都会缩短电池的使用寿命,同时也会影响系统的整体可靠性。这些问题带来的直接的后果是:终端客户更换电池的时间间隔更短了,例如,每年就需要更换一次,而不是5~10年一次。 NV SRAM技术应用 NV SRAM通常用于要求维护次数尽可能少,频繁进行读/写操作,并且数据保存速度是至关重要的系统中。数控铣床就是一个例子。假设机器正在进行铣操作的时候突然断电。出于安全考虑,需要撤出钻头并将其停放在一个安全位置。一旦上电,机器必须记住停止工作的点。有了NV SRAM模块,这一任务是很容易实现的。选择的保持时间应等于或大于向EEPROM中存储程序信息所需的时间。在数据写入EEPROM之前,仍然需要SRAM充当数据缓存。采用这一方案,附加元件的费用通常要超出NV SRAM模块的成本,并且可靠性较低。在防篡改应用,特别是在PoS终端中,数据记录非常重要。如今的智能终端无须经过耗时的远程服务器