交叉阵列（crossbar array），工学-电子科学与技术-新型半导体器件-新型存储器器件-阻变随机存储器-交叉阵列，在存储类电子器件中，每个存储单元由上、下电极控制，上、下电极分别连接相互垂直交叉的字线（word line）和位线（bit line），进而在俯视单元时可以观察到十字交叉形状的排布方式。在交叉阵列中，每一根字线和位线会连接多个器件，因此交叉阵列的排布方式提升了器件的集成密度。但是，这也对阵列的读取、写入、擦除过程提出了要求：在对阵列进行读取、写入、擦除操作时要能够对单元进行精确定位，同时对某单元进行读取、写入、擦除操作时不能对其周围的器件单元产生影响。随着阵列规模的逐渐增大，这两项要求显得愈发重要。交叉阵列不仅提升了平面内的器件集成密度，而且还为器件的三维集成铺垫了良好的结构基础——在底层交叉阵列上方制备绝缘层后再进行下一轮交叉阵列的制备过程，相较于传统互补金属氧化物半导体（complementary metal oxide semiconductor; CMOS）工艺或者其他存储器件排布方式来说（如闪存中使用的3D-Vertical排布方式），是较为容易实现的。