溅射铣蚀（sputtering etching and milling），工学-电子科学与技术-集成电路-集成电路工艺-刻蚀工艺，在集成电路制造中，利用低气压下惰性气体辉光放电所产生的离子，经加速后入射到薄膜表面，使裸露的薄膜被溅射而除去的技术。溅射铣蚀利用气压为10～1000帕的特定气体的辉光放电，产生能与薄膜发生离子化学反应的分子或分子基团。其反应离子蚀刻，同时兼有物理和化学两种作用，辉光放电在零点几到几十帕的低真空下进行，硅片处于阴极电位，大量带电粒子受垂直于硅片表面的电场加速，垂直入射到硅片表面，以较大的动量进行物理蚀刻，同时还与薄膜表面发生强烈的化学反应，产生化学蚀刻。在溅射铣蚀中，反应器由一真空室和两个扁平电极组成。两电极表面尺寸不同，相距几厘米。蚀刻晶片放在底部电极上，以便与气体放电直接接触。惰性气体的压力一般选为0.5～10帕，惰性气体一般选用氩气。大电极接地，另外一个电极通过耦合电容与高频电源相连，电压约0.1～1千伏。在这些条件下，两电极间产生气体放电，但亮区只限于两板极间的中间区域，与两电极相邻的区域为暗区。