陷落电子

陷落电子（trapped electron），理学-化学-放射化学与核化学-辐射化学-气体辐射化学，被束缚在势阱中的电子。在极性介质中，热电子的存在引起了围绕在它周围的极性分子偶极子取向。偶极子的正极端朝着电子，负极端远离电子，因而电子就陷落在此极化位阱中。如果此位阱在晶格空穴内，则这样的电子称为陷落电子。如果介质为固体或玻璃基体，则陷落电子有较长寿命；在液体中形成溶剂化电子是一种重要的陷落方式。电离辐射与物质相互作用过程中产生的次级电子仍有较高的能量（＞100电子伏），具有继续激发或电离周围介质分子的能力。通过与介质分子的作用，次级电子的能量逐渐消耗而慢化，丧失激发或电离介质分子的能力，直到它们的动能与介质分子的热能等同，成为热化电子。在能量降到热能之前，如已脱离母体离子的库仑场束缚而漂离母体离子一定距离（平均为几纳米），则这种热化电子才有可能成为陷落电子。陷落电子的几何构型分为键合取向和偶极取向两种。以水合电子为例，就有偶极矩取向的四水分子模型和键合取向的六水分子模型，认为较合理的是四个水分子与一个热化电子构成四面体结构。