硅应变（silicon strain），工学-电子科学与技术-集成电路-集成电路工艺-外延生长，通过调节晶体管沟道中的应力来提高载流子迁移率，以增强器件性能的集成电路制造技术。集成电路的晶体管特征尺寸日益缩减，由于沟道掺杂浓度提升、栅介质变薄引起有效电场强度提高和界面散射增强等原因，沟道内载流子有效迁移率日趋退化，硅应变作为特殊工艺技术被引入，来改善这一不利局面。硅应变的物理机制是，通过外部产生的机械力量、即应力，改变晶体管沟道表面硅晶格的原子空间排列，由此改变半导体能带中亚带能级，影响电子或者空穴的亚带分布，从而影响载流子的有效质量与亚带间散射，并引起载流子迁移率的变化。提升电子迁移率常需要施加张应力，而空穴需要压应力。硅应变按应变作用面积的大小可分为局域应变与全局应变；按施加的应力类型可分为张应变和压应变；对于电子集成电路制造工艺，按应变方式又可分为衬底诱生应变与工艺诱生应变。