瞬变抑制二极管简称TVS器件，在规定的反向应用条件下，当承受一个高能量的瞬时过压脉冲时，其工作阻抗能立即降至很低的导通值，允许大电流通过，并将电压箝制到预定水平，从而有效地保护电子线路中的精密元器件免受损坏。瞬变抑制二极管的主要参数 1、 击穿电压V(BR) ：器件在发生击穿的区域内， 在规定的试验电流I(BR) 下， 测得器件两端的电压称为击穿电压，在此区域内， 二极管成为低阻抗的通路。2、 大反向脉冲峰值电流IPP ：在反向工作时， 在规定的脉冲条件下， 器件允许通过的大脉冲峰值电流。 IPP 与大箝位电压Vc(MAX) 的乘积， 就是瞬态脉冲功率的大值。 使用时应正确选取瞬变抑制二极管， 使额定瞬态脉冲功率PPR 大于被保护器件或线路可能出现的大瞬态浪涌功率。3、 大反向工作电压VRWM（或变位电压）：器件反向工作时， 在规定的 IR 下， 器件两端的电压值称为大反向工作电压VRWM。 通常 VRWM =（0. 8~0. 9） V (BR) 。 在这个电压下， 器件的功率消耗很小。4、 大箝位电压Vc(max ) ：在脉冲峰值电流Ipp 作用下器件两端的大电压值称为大箝位电压。 使用时， 应使 Vc(max ) 不高于被保护器件的大允许安全电压。 大箝位电压与击穿电压之比称为箝为系数。5、 反向脉冲峰值功率PPR ：瞬变抑制二极管 的 PPR 取决于脉冲峰值电流IPP 和大箝位电压Vc(max ) ， 除此以外， 还和脉冲波形、脉冲时间及环境温度有关。6、 电容CPP： 瞬变抑制二极管 的电容由硅片的面积和偏置电压来决定， 电容在零偏情况下， 随偏置电压的增加， 该电容值呈下降趋势。 电容的大小会影响 瞬变抑制二极管 器件的响应时间。7、 漏电流IR： 当大反向工作电压施加到瞬变抑制二极管 上时， 瞬变抑制二极管 管有一个漏电流IR， 当 瞬变抑制二极管 用于高阻抗电