瞬态抑制二极管是一种能把瞬态电压抑制在被保护元件能承受的安全水平的高效能保护器件。瞬态电压是交流电路上电流与电压的一种瞬时态的畸变，会对微电子半导体芯片造成损坏。虽然有些微电子半导体芯片受到瞬态电压侵袭后,它的性能没有明显的下降，但是多次累积的侵袭会给芯片器件造成内伤而形成隐患。瞬态抑制二极管能够有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。瞬态抑制二极管的必要性 瞬态电压是交流电路上电流与电压的一种瞬时态的畸变。浪涌、谐波为主要的表现形式。超高压是指通常的瞬态电压尖峰，高出正常电路电压幅值的好几倍。瞬时态是指瞬态电压持续的时间非常之短，它可以在数亿分之一秒内完成迸发到消失的过程。高频次是指瞬态电压的活动十分频繁，可以说无时不有、无处不在。瞬态电压是会对微电子半导体芯片造成损坏的。虽然有些微电子半导体芯片受到瞬态电压侵袭后,它的性能没有明显的下降，但是多次累积的侵袭会给芯片器件造成内伤而形成隐患。瞬态电压对芯片器件造成的损伤难以与其它原因造成的损伤加以区别, 从而不自觉地掩盖了失效的真正原因。由于微电子半导体芯片的精、细、结构, 如要替换或修理需要使用高度精密仪器,是非常费财的。为一的有效方法就是把瞬态电压抑制在被保护元件能承受的安全水平。瞬态抑制二极管就是这样一种保护元件。 瞬态抑制二极管的性能参数 Vrwm可承受的反向电压：在此阶段瞬态电压抑制二极管为不导通之状态。Vrwm必需大於电路的正常工作电压, 否则瞬态电压抑制二极管会不断截止回路电压。但Vrwm需要尽量与被保护回路的正常工作电压接近,这样才不会在瞬态电压抑制二极管工作以前使整个迥路面对过压威胁。Vbr反向崩溃电压：当瞬态电压超过Vbr,瞬态电压抑制二极管便产生崩溃把瞬态电压抑制在某个水平,提供瞬态电流一个超低电阻通路,让瞬态电流透过瞬态电压抑制二极管被引开,避开被保护元件。Ir反向漏电电流：瞬态电压