无线通信IC是用于无线射频通信的收发及数字/模拟信号处理的半导体集成电路芯片统称，常见的无线通信IC材料有硅双极互补金属氧化半导体(SiBipolarCMOS)、硅锗(SiGe)、砷化镓(GaAs)、磷化铟等，如今无线通信IC产业已成为半导体产业未来发展的重要支柱。无线通信IC的分类 一般来说，整个无线通信IC依功能可以分成三部分：首先为负责接收/发送射频信号的射频IC(Radio Frequency IC)，此部分属于射频前端，为纯粹的模拟电路设计；其次为负责二次升/降频与调制/解调功能的中频电路(IF IC)，以及与锁相回路(PLL)、频率合成器(Synthesizer)等组件，目前此段多属于模拟/数字的混和模式(mixed mode)的电路；后则是负责A/D、D/A、信号处理器及CPU等纯数字部分的基频IC(Baseband IC)。 无线通信IC的材料 硅组件Si为主流以硅为基材的集成电路共有Si BJT(Si-Bipolar Junction Transistor)、Si CMOS、与结合Bipolar与CMOS特性的Si BiCMOS(Si Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor)等类。由于硅是当前半导体产业应用为成熟的材料，因此，不论在产量或价格方面都极具优势。传统上以硅来制作的晶体管多采用BJT或CMOS，不过，由于硅材料没有半绝缘基板，再加上组件本身的增益较低，若要应用在高频段操作的无线通信IC制造，则需进一步提升其高频电性，除了要改善材料结构来提高组件的fT，还必须藉助沟槽隔离等制程以提高电路间的隔离度与Q值，如此一来，其制程将会更为复杂，且不良率与成本也将大幅提高。因此，目前多以具有低噪声、电子移动速度快、且集成度高的Si BiCMOS制程为主。而