杨成刚，男，彝族，1965 年10月生，贵州大方县人，1989年毕业于贵州大学物理系半导体物理与器件专业，学士学位，高级工程师，PMP。在校期间，连年被评为校级三好学生。毕业后，分配到中国振华电子工业公司国营第四四三三厂工作，主要从事半导体集成电路和混合集成电路方面的科研工作。进厂后，他致力于光刻工艺的研究，采用直接光刻工艺代替机械掩模蒸发工艺，进行分步光刻选择刻蚀来形成薄膜无源网络，其最小间距或带宽可达10um左右，使集成度大大提高，适用于大批量生产，为后来的高尖端新产品的研制和生产奠定了基础。曾参与该厂军工器件FX0032超高速FET运算放大器、FX0002电流放大器、FX8510功率运算