鸟嘴效应

LOCOS工艺中，由于氧在二氧化硅中的扩散是一个等向性过程，因此，氧也会通过氮化硅下面的衬垫二氧化硅层进行横向扩散，在靠近刻蚀窗口的氮化硅层底下就会生长出二氧化硅。由于氧化层消耗的硅更厚，所以在氮化物掩膜下的氧化物生长将抬高氮化物的边缘。即为鸟嘴效应。