层错

层错常常发生在外延生长的硅单晶体上，当硅单晶片经过900~1200℃热氧化过程后，经常可发现表面出现层错。这些由氧化过程引起的层错，称之为OISF。因为每个层错都结合着部分位错，所以层错对硅单晶片的电性质影响与位错相似。硅单晶沿[111]方向生长，原子排列次序一定是 AA’BB’CC’，但是由于某种原因，原子排列不按正常次序生长AA’BC’AA’BB’CC’，这样原子层产生了错排。