单晶铜是由日本工业大学的大野(Ohno)教授所发明的“高温热铸模式连续铸造法”所制造的导体技术。因为铸造过程经过特殊加热处理，所以可以获得单结晶状导体，每一结晶可以延伸数百公尺以上。在实际应用之时，在长度上结晶粒仅有一个，并没有所谓“晶粒界面”存在；在讯号传讯时，无需透过晶粒与晶粒之间的“晶界”，讯号更易于穿透与传导，因此损耗极低，堪称是相当完美的线材。单晶铜特性 用单晶连铸技术拉出的铜材仅由一个晶粒组成，具有超常的机械加工性能和电学特性。其特点有三：1.单晶铜纯度达到99.9999[%]；2.特性很难满足封装要求。5．低成本：单晶铜丝成本只有金丝的1/3-1/10，可节约键合封装材料成本90[%]；比重是金丝的1/2，1吨单晶铜丝可替代2吨金丝； 当今半导体行业的一些显着变化直接影响到了IC互连技术，其中成本因素也是推动互连技术发展的主要因素。目前金丝键合长度超过5mm，引线数达到400以上，其封装成本超过0.2美元。而采用单晶铜丝键合不但能降低器件制造成本，提高竞争优势。对于1密耳焊线，成本高可降低75[%]，2密耳可达90[%]。 单晶铜适用领域 单晶铜材料产品的优势