金属连接可靠性（reliability of metal interconnects），工学-机械工程-机械工程基础-机械设计-机械强度学-结构完整性-界面力学，在集成电路板上淀积金属薄膜，并通过光刻技术形成布线，把互相隔离的元件按一定要求连接成所需电路在一定时间内和一定条件下无故障地执行指定功能的能力或可能性。简史1969年，美国物理学家R.N.诺伊斯及集成电路共同发明人J.S.基尔比，英特尔公司的联合创始人G.摩尔（Gordon Moore，1929～ ）提出了单片集成电路的概念，引领了之后的微电子革命。为了实现晶体管，电容器以及电阻器的相互以及外部连接，微电子技术提出了互连结构，将所有的部件安放在一块硅片上，称之为芯片。随着集成电路的小型化，在单个芯片上的晶体管数目越来越多，连接结构也不可避免地向结构复杂化，材料多样化，尺寸微型化发展。传统的连接结构使用铝作为导体，二氧化硅作为绝缘体。通过钨通孔[注]连接各层布线，在铝线与绝缘体之间喷涂氮化钛薄层。为了得到运算更快的器件，需要提高导体的导电率，降低绝缘体的介电常数。较多使用铜作为引线材料，通过铜通孔连接各层之间的布线。