极紫外光刻技术（extreme ultraviolet lithography technology），工学-电子科学与技术-集成电路-集成电路工艺-光刻技术，集成电路制造中，以波长为13.5纳米的极紫外光作为曝光光源的光刻技术。1988年，美国劳伦斯·利弗莫尔国家实验室和贝尔实验室的研究人员分别发表了极紫外光刻技术论文。极紫外光刻技术原名为软X射线投影光刻技术，1994年改名为极紫外光刻技术。1999年，荷兰光刻机设备和服务提供商开始极紫外光刻机的研发工作，直到2016年才实现向集成电路生成商的供货。极紫外光刻技术工作波长为13.5纳米（2%带宽），其工作原理是：极紫外光波经过周期性多层薄膜反射镜入射到反射掩膜上，反射掩膜反射出的极紫外光波再通过由多面反射镜组成的缩小投影系统，将反射掩膜上的集成电路几何图形投影成像到硅片上的光刻胶中，形成集成电路所需要的光刻图形。极紫外光刻技术可以说是深紫外光刻技术的延伸，但是也有很大不同，其主要特征包括：①工作波段存在大量原子共振线与吸收线，任何材料（包括空气）的辐射吸收都非常严重，吸收长度通常为微米/纳米量级。