缺陷有效电荷

缺陷有效电荷（effective charge of defect），理学-化学-物理化学-材料物理化学-材料制备方法学-相分离-缺陷有效电荷，晶体在形成点缺陷（包括空位缺陷、填隙缺陷或取代缺陷）时有可能会改变原本晶格电中性的状态，导致缺陷局部空间带有的电荷。缺陷有效电荷的计算方法为：缺陷电荷减去晶体正常格位的电荷。为避免与离子电荷表示方法混淆，F.A.克鲁格[注]和H.J.维克[注]提出用“•”“′”和“×”分别表示正电荷、负电荷和电中性。对于空位缺陷，如NaCl中的Na+空位，其有效电荷为0-（+1）=-1，缺陷表示为；对于填隙缺陷，如AgCl中的填隙Ag+，其有效电荷为+1-0 =+1，缺陷表示为；对于不等价取代缺陷，如La2CuO4中取代La3+格位的Sr2+，其有效电荷为+2-（+3）=-1，缺陷表示为；对于等价取代缺陷，如Y2O3中取代Y3+格位的Eu3+，其有效电荷为+3-（+3）=0，缺陷表示为。