快闪存储器（flash memory），理学-计算机科学技术-计算机硬件-计算机存储部件，一种新型不挥发性半导体存储器，它结合了以往EPROM 结构简单、密度高和EEPROM在系统的电可擦除性的一些优点, 实现了高密度、低成本和高可靠性。简称闪存。快闪存储器是在20世纪80年代末逐渐发展起来的。它允许在操作中多次擦或写，并具有非易失性，即单指保存数据而言，它并不需要耗电。快闪存储器和传统的EEPROM不同在于它是以较大区块进行数据抹擦，而传统的EEPROM只能进行擦除和重写单个存储位置。闪存的擦除次数有限，从一万次到1百万次不等。尽管可以通过耗损平衡以及坏区管理等技术延长其使用寿命，但是这个限制也决定了闪存不适用于大量数据读写循环的高可靠性数据存储应用。除此以外，闪存还具有较快的读取速度，其读取时间小于100ns，这个速度可以和主存储器相比。相比较下，由于它的写入操作比较复杂，所以写入花费时间较长。而与硬盘相比，闪存的动态抗震能力更强，因此它非常适合用于移动设备上，例如笔记本电脑、相机和手机等。