反相畴界面（antiphase boundary; antiphase domain boundary; APB），理学-化学-无机化学-固体化学-离子导体-反相畴界面，在晶格中的一种畴界面。简称反相畴界。1963年M.J.马辛科夫斯基[注]和1979年菊池良一[注]与J.W.卡恩[注]指出反相畴界面是同种有序材料中两种不同相畴界间分离的界面。其形成来源于材料在结晶过程中由于存在无序和缺陷导致的对称性破缺。两种不同晶体结构的相畴接触时，在界面处形成了反相畴界面，从而使得材料界面处存在异常成键。如图所示（P.哈森[注]，1986），在有序结构中，当占据不同亚晶格的A（空心圆）和B（实心圆）原子一起生长时，将形成反相畴界面。图a表示不同亚晶格上有序相畴的成核，图b表示相畴接触，图c中形成APB（虚线）。马辛科夫斯基在1963年指出，不具备有序超晶格平移向量的伯格斯矢量位错在穿越一种有序相时也可以形成反相畴界面。