非均匀成核（heterogeneous nucleation），理学-化学-物理化学-结构化学-晶体-晶体生长-晶核-非均匀成核，新相优先在母相中存在的异质处形核，即依附于液相中的杂质或外来表面形核的过程。熔体过冷或者溶液过饱和后不能立即成核的主要障碍是生成晶核时要出现液-固界面，为此需要提供界面能。如果成核依附于已有的界面上（如容器壁、杂质颗粒、结构缺陷、气泡、成核剂等）形成，则高能量的液-固界面能就被低能量的晶核与成核基体之间的界面所取代。显然，这种界面代换比界面的生成所需要的能量要少得多。因此，成核基体的存在可大大降低成核位垒，使成核能在较小的过冷度下进行。这种情况下，成核过程将不再均匀地分布在整个系统内，故常被称为非均匀成核。均匀成核与非均匀成核之间差异可以用下图体现，其最主要的差异在于非均匀成核的形核功远小于均匀成核。在0.02Tm的过冷度时，形核率已达到最大值，故非均匀成核更容易发生。