自对准技术（self-aligned technology），工学-电子科学与技术-传统半导体器件-【半导体工艺技术】，微电子技术中利用元件、器件结构特点实现光复印自动对准的技术。早期的金属-氧化物-半导体（metal-oxide-semiconductor; MOS）集成电路采用的是铝栅工艺，首先在硅单晶片上热氧化生长一层二氧化硅膜，经第一次光刻，在二氧化硅膜上刻蚀出源和漏扩散窗口，用扩散法形成源和漏扩散区（图1a），接着在硅片上形成新的二氧化硅层；再经过第二次光刻，刻蚀出栅区，生长栅氧化层；然后，经光刻刻出引线孔，完成蒸铝和刻铝等后工序；最后形成MOS晶体管。因为栅区必须在源和漏扩散区正中间，并需要稍覆盖源区和漏区，第二次光刻以及形成铝栅电极的那步光刻，都必须和第一次光刻的位置精确对准（图1b）。否则，栅区与源区或漏区就可能衔接不上，使沟道断开（图1c），致使MOS晶体管无法工作。