肖特基结（Schottky junction），工学-电子科学与技术-传统半导体器件-【半导体物理相关术语】，一种金属与半导体的交界面。肖特基结与PN结相似，具有非线性阻抗特性（整流特性）。1938年，德国物理学家W.H.肖特基（Walter Hermann Schottky，1886-07-23～1976-03-04）提出理论模型，对此特性进行了科学的解释，故后来把这种金属与半导体的交界面称为肖特基结或肖特基势垒。半导体的逸出功一般比金属的小，故当金属与半导体（以N型为例）接触时，电子就从半导体流入金属，在半导体表面层内形成一个由带正电不可移动的杂质离子组成的空间电荷区，在此区中存在一个由半导体指向金属的电场，犹如筑起了一座高墙，阻止半导体中的电子继续流入金属。从肖特基势垒的能带图可以看出：在界面处半导体的能带发生弯曲，形成一个高势能区，这就是肖特基势垒。电子必须具有高于这一势垒的能量才能越过势垒流入金属。当平衡时，肖特基势垒的高度是金属和半导体的逸出功的差值。肖特基结具有以下特性：①不同金属与不同种类的半导体接触时，具有不同的肖特基势垒高度。②势垒高度随外加电压变化。