结型场效应管(J-FET) 在一块N型(或P型)半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(或N型区)，就形成两个不对称的PN结。把两个P区(或N区)并联在一起，引出一个电极，称为栅极(g)，在N型(或P型)半导体的两端各引出一个电极，分别称为源极(s)和漏极(d)。夹在两个PN结中间的N区(或P区)是电流的通道，称为导电沟道(简称沟道)。这种结构的管子称为N沟道(或P沟道)结型场效应管。 分为基本内容 结型场效应管(J-FET) 在一块N型(或P型)半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(或N型区)，就形成两个不对称的PN结。把两个P区(或N区)并联在一起，引出一个电极，称为栅极(g)，在N型(或P型)半导体的两端各引出一个电极，分别称为源极(s)和漏极(d)。夹在两个PN结中间的N区(或P区)是电流的通道，称为导电沟道(简称沟道)。这种结构的管子称为N沟道(或P沟道)结型场效应管。 分为N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管两种。 由于结型场效应管的栅极输入电流iG>>0，因此很少应用输入特性，常用的特性曲线有输出特性曲线和转移特性曲线。 分类 分为N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管两种。 特性 (1)转移特性：栅极电压对漏极电流的控制作用称为转移特性，若用曲线表示，该曲线就称为转移特性曲线。它的定义是：漏极电压UDS恒定时，漏极电流ID同栅极电压UGS的关系，即结型场效应管的转移特性曲线如图所示。图中的Up为夹断电压，此时源极与漏极间的电阻趋于无穷大，管子截止。在UP电压之后，若继续增大UGS就可能会出现反向击穿现象而损坏管子。在测量结型场效应管的转移特性曲线时，要求UDS要足够大，一般令UDS=|UP|，这时再令UCS从零开始增大百到Up，测出对应的ID值，便可得到转移特性曲线。图中UGS=O时对应的札称为漏极饱和电流IDSS°随着UGS变负，IS将下降