SOI?(Silicon-On-Insulator)是一种用于集成电路制造的新型原材料，替代目前?大量应用的体硅(Bulk?Silicon)?。SOI?是指绝缘层上的硅，作为一种全介质隔离技术，SOI?材料研究已有?20?多年的历史，发展了多种?SOI?圆片制造技术，其中包括?Bonding、激光再结晶、注氧隔离（SIMOX,?Separation?by?Implanted?Oxygen）?、智能剥离（Smart-cut）以及最近发展起来的等离子浸没?。SOI的优势 SOI几乎在体硅电路的各个应用领域都表现出巨大的优势。随着体硅CMOS技术的发展，器件的特征尺寸的持续缩小正面临着巨大的挑战，即持续的特征尺寸的缩小导致的寄生电容的增加、短沟效应的恶化、热载流子的退变等。而SOI技术由于它特殊的结构使得它具有了较高的跨导、降低的寄生电容、减弱的短沟效应、较为陡直的亚阈斜率，这些特点为SOI作为CMOS LSI的主流技术奠定基础。当前，SOI电路和器件的一个主要应用是空间及军事电子领域，这主要归功于埋氧的存在使得SOI技术具有了抗瞬时辐射效应的能力。目前SIMOX存储器电路具有SEU失效率为10-9/位.天 并且在1011rad(si)/s的剂量率辐照下仍然能保持电路功能。这些数字表明，与体硅电路相比，SOI电路的抗辐照强度提高了100倍。SOI技术的另一应用是耐高温电路。在高温环境下，SOI器件性能明显优于体硅器件。这是由于高温下的SOI器件与体硅器件相比，由于SOI器件的源和漏结面积的减小使得泄漏电流降低很多。在SOI器件中，由于不存在隔离阱P－N结，使得高温时的泄漏电流和功耗降低的更多。据以报道的在300。C和500。C温度下仍能工作的SOI CMOS电路与工作温度上限为250。C的体硅CMOS电路的特性相比，可知SOI CMOS电路的耐高温性能。另外，随着器件特征尺寸的缩