透明导电氧化物薄膜（transparent conducting oxide film），理学-物理学-凝聚态物理学-半导体物理学-〔半导体材料〕，一种特殊的薄膜材料。它既是金属氧化物又是半导体薄膜材料，也属于光学材料，具有禁带宽、可见光范围内透射率高和电阻率低等光电特性。透明导电氧化物（TCO）薄膜最早出现在20世纪初，1907年K.贝德克尔[注]首次制备出氧化镉透明导电薄膜，1950年前后出现了SnO2基和In2O3基透明导电薄膜，20世纪80年代氧化锌基透明导电薄膜兴起，90年代中期开发出了多元TCO薄膜、聚合物基体TCO薄膜、高迁移率TCO薄膜及P型TCO薄膜。TCO薄膜主要包括铟、锑、锌和镉的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料。即In2O3、SnO2、氧化锌、氧化镉及其掺杂体系In2O3:Sn(ITO)、In2O3:Mo(IMO)、SnO2:Sb(ATO)、SnO2:F(FTO)、ZnO:Al(AZO)、CdO:In等。这类透明导电薄膜都是通过半导体掺杂贡献载流子来降低其电阻率。