化合物雪崩光电二极管

化合物雪崩光电二极管（compound avalanche photo-diode），材料科学技术名词，利用光生载流子在二极管耗尽区内受高电场作用产生雪崩效应制备的二极管。其有源区为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。