扩散结半导体探测器

扩散结半导体探测器（diffused junction semiconductor detector）是2014年公布的放射医学与防护名词。将某一种导电类型的杂质扩散到相反类型的半导体中形成PN结的半导体探测器。可用来探测穿透本领较高的β粒子和X射线。这种探测器比较牢固耐用，对环境要求不严格，有较强的抗辐射损伤的能力。