非晶硅薄膜晶体管

非晶硅薄膜晶体管（a-Si：H TFT--amorphous silicon thin film transistor）沟道采用非晶硅材料制成。由于非晶硅可以淀积在各种大面积的衬底上，所以生产成本低廉，得到了广泛的应用。非晶硅薄膜可以通过辉光放电分解硅烷制备。所以实际上这样制作的非晶硅薄膜是非晶硅和氢的合金。