嵌入式快闪存储器

嵌入式快闪存储器属于嵌入式芯片自带（内嵌）的flash存储。嵌入式快闪存储器是从EPROM和EEPROM发展而来的非挥发性存储集成电路，其主要特点是工作速度快、单元面积小、集成度高、可靠性好、可重复擦写10万次以上，数据可靠保持超过10年。国外从80年代开始发展，到2002年，Flash memory的年销售额超过一百亿美元，并增长迅速，到2006年，年销售额可达126亿美元/年。