非晶态半导体器件

非晶态半导体器件（amorphous semiconductor device），工学-电子科学与技术-电子元器件与制备技术-固态电子器件，以非晶态半导体材料为主体制成的固态电子器件。早期研究领域普遍认为非晶态半导体不能用掺杂的办法控制电阻率，因而其应用受到限制。直到1975年，英国人W.G.斯皮尔在辉光放电分解硅烷法制备的非晶硅薄膜中掺杂成功，可以使非晶硅薄膜的电阻率变化10个数量级，为非晶硅和其他非晶半导体器件的发展奠定了基础。