碳化硅单晶生长

碳化硅单晶生长（silicon carbide single crystal growth），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-[半导体材料制备]-[体单晶制备方法]，碳化硅多晶粉、含硅和碳的熔体或气相组分，在高温下通过升华、熔体过冷或气相传输等不同的方式，使含碳和硅的组分在碳化硅籽晶上结晶，生长碳化硅单晶的技术。碳化硅单晶生长方法包括物理气相传输法、高温化学气相沉积法和液相法。