离子注入工艺

离子注入工艺（ion implantation technology），工学-电子科学与技术-红外电子学-【红外探测器】-【红外探测器工艺】，通过高压离子轰击固体材料表面，高压离子束与固体材料发生原子级的高能碰撞而减速，最终留在固体内部的工艺技术。离子注入是一个物理过程，不发生化学反应。其最主要的用途是掺杂半导体材料，比如硅。本征硅的导电性能很差，只有当硅中加入少量杂质，使其结构和电导率发生改变时，硅才成为一种有用的半导体。