直接带隙半导体

直接带隙半导体的例子：GaAs、InP半导体。相反，Si、Ge是间接带隙半导体。直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和价带最大值（价带顶）在k空间中处于同一位置的半导体。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。