反应性离子刻蚀

反应性离子刻蚀 （reaction ionetching；RIE）是制作半导体集成电路的蚀刻工艺之一。在除去不需要的集成电路板上的保护膜时，利用反应性气体的离子束，切断保护膜物质的化学键，使之产生低分子物质，挥发或游离出板面，这样的方法称为反应性离子刻蚀。离子刻蚀是利用高能量惰性气体离子轰击被刻蚀物体的表面，达到溅射刻蚀的作用。因为采用这种方法，所以可以得到非常小的特征尺寸和垂直的侧壁形貌。这是一种“通用”的刻蚀方式，可以在任何材料上形成图形。它的弱点是刻蚀速度较低，选择性比较差。