无坩埚区熔法（crucibleless zone melting）用于单晶生长和材料的提纯的一种重要的方法。先将用于制备单晶或需提纯的材料烧结成棒状，再使其自上而下地通过一段很窄的加热区域。无坩埚区熔法生产单晶硅是在区熔炉内于真空或保护气氛中进行的，此法能消除来自坩埚的污染源，用来生产更高纯度的小直径单晶。采用这种方法生长硅单晶时，熔区悬浮于多晶硅棒与下方生长出的单晶之间，故称为悬浮区熔法。由于在熔化和生长硅单晶过程中，不使用石英坩埚等容器，故又称为无坩埚区熔法。因为硅熔体密度小（2.3 g/cm）并有一定的表面张力，加上高频电磁场的托浮作用，所以熔区易保持稳定。