MOSFET驱动器是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步?DC/DC?转换器和高达?100V?的电源电压来驱动两个?N?沟道?MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容?MOSFET?中的开关损耗。针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达?114V?的电压条件下运行。MOSFET驱动器的特点 ●欠压闭锁功能●自适应贯通保护功能●自举电源电压至 114V●1.4A 峰值顶端栅极上拉电流●1.75A 峰值底端栅极上拉电流●耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装●宽 VCC 电压：4.5V 至 13.5V●1.5Ω 顶端栅极驱动器下拉电阻●0.75Ω 底端栅极驱动器下拉电阻●5ns 顶端栅极下降时间驱动 1nF 负载●8ns 顶端栅极上升时间驱动 1nF 负载●3ns 底端栅极下降时间驱动 1nF 负载●6ns 底端栅极上升时间驱动 1nF 负载●可驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET MOSFET驱动器的功耗计算 MOSFET 驱动器的功耗包含三部分：1. 由于MOSFET栅极电容充电和放电产生的功耗。与MOSFET栅极电容充电和放电有关。这部分功耗通常是高的，特别在很低的开关频率时。2. 由于MOSFET 驱动器吸收静态电流而产生的功耗。高电平时和低电平时的静态功耗。3. MOSFET 驱动器交越导通（穿通）电流产生的功耗。由于MOSFET 驱动器交越导通而产生的功耗，通常这也被称为穿通。这是由于输出驱动级的P沟道和N 沟道场效应管（FET）在其导通和截止状态之间切换时同时导通而引起的。 MOSFET驱动器的应用 ●分布式电源架构●汽车电源●高密度●电信系统