直接带隙

直接带隙（direct band gap），理学-化学-物理化学-能源化学-半导体光电化学-直接带隙，价带顶与导带底在同一动量空间的能带结构。在这种能带结构中价带顶的电子可以垂直地跃迁到导带底而不需要声子的作用。因而具有直接带隙的半导体材料具有高的光吸收系数和高的荧光量子产率，适合用作太阳电池和光电器件。