铝镓氮（aluminum gallium nitride），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-化合物半导体-三元化合物半导体-铝镓氮，由铝（Al）、镓（Ga）与氮（N）化合而成的三元固溶体半导体材料。铝镓氮属于极性共价化合物，其中Al、Ga带正电，N原子带负电。分子式为AlxGa1-xN，其中x为Al原子占阳离子的摩尔百分数，也称Al组分。铝镓氮有闪锌矿和纤锌矿两种结构。闪锌矿结构属于亚稳相，纤锌矿结构属于稳定相。纤锌矿结构铝镓氮属于直接跃迁型能带半导体，具有很强的极化效应。在垂直于c面（0001）方向受到平面双轴应力时，其材料的两侧表面会出现同等数量相反电性的电荷分布。其晶格常数a（x）可以通过GaN和AlN晶格常数的线性插值（Vegard定律）得到。铝镓氮薄膜可以通过化学气相沉积，如金属有机化学气相沉积（MOCVD，见金属有机化合物气相外延）、分子束外延（MBE），在硅、蓝宝石、碳化硅等衬底上外延制备。1991年，研究者首次使用AlGaN作为势垒层，通过MOCVD生长了高电子迁移率AlGaN/GaN的异质结构。