硒化锌晶体
(VI族化合物半导体)
硒化锌晶体ainc selenide crystal }nSe周期表} , VI族化合物半导体,离子键结合,有一定共价键成分。立方晶系闪锌矿型结构。晶格常数} . 5567nm密度2 . 58g }}m3。熔点1450℃。为复式晶格,直接带隙半导体,室温禁带宽度2.5#ie}',电子和空穴迁移率分别为1x10和1.6 x 10-3mZ1Vr.S}。
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