光电三极管是以接受光的信号而将其变换为电气信号为目的而制成的晶体管,光照强弱变化时,电极之间的电阻会随之变化,所以也被称为光敏三极管。光电三极管的结构 光电三极管有两种基本结构,NPN结构与PNP结构。用N型硅材料为衬底制作的 NPN结构,称为 3DU型;用P型硅材料为衬底制作的称为PNP结构,称为3CU型。 光电三极管的特性 1)伏安特性光电三极管在偏置电压为零时,无论光照度有多强,集电极电流都为零。偏置电压要保证光电三极管的发射结处于正向偏置,而集电结处于反向偏置。随着偏置电压的增高伏安特性曲线趋于平坦。光电三极管的伏安特性曲线向上偏斜,间距增大。这是因为光电三极管除具有光电灵敏度外,还具有电流增益β,并且,β值随光电流的增大而增大。2)时间响应(频率特性)光电三极管的时间响应常与PN结的结构及偏置电路等参数有关。光电三极管的时间响应由以下四部分组成:① 光生载流子对发射结电容Cbe和集电结电容Cbc的充放电时间;② 光生载流子渡越基区所需要的时间;③ 光生载流子被收集到集电极的时间;④ 输出电路的等效负载电阻RL与等效电容Cce所构成的RC时间;总时间常数为上述四项和。比光电二极管的时间响应长。3)温度特性硅光电二极管和硅光电三极管的暗电流Id和光电流IL均随温度而变化,由于硅光电三极管具有电流放大功能,所以硅光电三极管的暗电流Id和亮电流IL受温度的影响要比硅光电二极管大得多。4)光谱响应光电二极管与光电三极管具有相同的光谱响应。它的响应范围为0.4~1.1μm,峰值波长为0.85μm。 光电三极管的种类选择 由外观上, 可以区分为罐封闭型与树脂封入型, 而各型又可分别分为附有透镜之型式 及单纯附有窗口之型式.就半导体晶方 言之,材料有硅(Si)与锗(Ge),大部份为硅.在晶方构造方面,可分为普通晶体管型与达林顿 晶体管型.再从用途加以分类时,可以分为以交换动作为目