氧化层阻陷电荷
(半导体相关)
氧化层阻陷电荷(OxideTrappedCharge),Qot,这类电荷没有特定的分布位置,主要是因为芯片过程中的其它制程,如离子植入、电浆蚀刻以及物理气相沉积所引起的电子及电洞,被氧化层内的杂质或未饱和键所扑捉而陷入所造成的。所以带正电或负电则不一定。
用户数据
参数表
继承树
构成树
关注人数:
0
技点进度:
0
/
0
题库进度:
0
/
0
技能进度:
0
/
关注级别:
取消关注
【参数模块正在开发当中】