随机存取内存
(半导体相关)
随机存取记忆器可分动态及静态两种,主要的差异在于动态随机存取内存(DRAM),在一段时间(一般是0.5ms - 5ms)后,数据会消失,故必须在数据未消失前读取原数据再重写(refresh),此为其最大缺点,此外速度较慢也是其缺点。而DRAM的最大好处为,其每一记忆单元(bit)只需一个Transistor(晶体管)+一个Capacitor(电容器),故最省面积,而有最高的密度。而SRAM则有不需重写、速度快的优点,但是密度低,其每一记忆单元
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