通道阻绝植入
(半导体相关)
通道阻绝植入在集成电路中,各电晶体彼此间则以场氧化层(FOX)加以隔离的,因为场氧化层上方常有金属导线通过,为了防止金属层,场氧化层,底材硅产生类似NMOS的电容效应,场氧化层下方的区域常掺有掺质浓度很高的P型层,以防止类似NMOS的反转层在场氧化层下发生,而破坏电晶体间的隔离。这层P型层通常称为'ChannelStop',这层掺质是以离子植入(Implantation)的方式完成的,所以称为通道阻绝植入。
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