三氯氧化磷
(半导体相关)
一种用做N+扩散用的化合物。通常以N2为"载气"(CarrierGas),带着POCl3和O2(氧气)一起进入高温炉管,然后产主下列反应:4POCl3+3O2→2P2O5+6Cl25P2O5+5Si→4P+5SiO2在反应过程中,磷沉淀于硅表面,同时硅表面亦形成氧化层。
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