牺牲氧化层
（半导体相关）
牺牲氧化层作用:去除在fieldoxidation过程中，由于KooiEffect而造成的缺陷.避免光阻和Si表面直接接触,造成污染.并对下一步骤的离子植入有一定的散射作用，即降低通道效应的影响.
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